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高邮泡沫厂告诉你:泡沫箱离子束表面沉积工艺简介

作者: 发布于:2021-04-06 08:30:13
高邮泡沫厂箱式离子束表面沉积技术简介 高邮泡沫厂材料表面沉积导电膜,保持硅橡胶泡沫原有的物理性能,满足抗静电要求。
该工艺采用铜离子束辅助沉积装置,离子束能量20keV,溅射参数Ar+/2kev/150mA,沉积时间1-1.5H,
普通硅橡胶泡沫的体积电阻率为1014-1015cm,不能满足抗静电要求。泡沫铜的体积电阻率降低到104-105欧姆厘米铜束辅助沉积后。这是由于绝缘性良好的硅橡胶泡沫表面沉积导电金属薄膜,形成导电通道。然而,硅橡胶泡沫塑料的表面与导电金属膜的结合不好。虽然不能形成导体,但大大提高了硅橡胶泡沫的抗静电性能。
研究表明,采用铜离子束增强沉积技术对泡沫硅橡胶进行表面改性,可以显著降低泡沫硅橡胶的体积电阻率,满足抗静电性能的要求,同时提高泡沫硅的拉伸性能、压缩应力应变能和压缩永久变形硅橡胶泡沫无明显变化。
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